ZXTN25020DFLTA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V HG Tran.
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 100 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 20 V |
| configuration | Single |
| dc collector/base gain hfe min | 300 at 10 mA, 2 V, 220 at 2 A, 2 V, 80 at 4.5 A, 2 |
| dc current gain hfe max | 300 at 10 mA, 2 V |
| длина | 3.05 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 7 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 215 MHz |
| Высота | 1 мм |
| height | 1 mm |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300 at 10 mA at 2 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA at 2 V, 220 at 2 A at 2 V, 80 at 4.5 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| length | 3.05 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1 40mA 2A |
| maximum collector base voltage (v) | 100 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 20 |
| maximum dc collector current | 2 A |
| maximum dc collector current (a) | 2 |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating temperature | + 150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 350 |
| maximum transition frequency (mhz) | 215(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 80 4.5A 2V|220 2A 2V|300 10mA 2V |
| minimum operating temperature | - 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 20 V |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-23-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 350 mW |
| pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Transistors - BJT |
| product type | BJTs - Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 215 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| series | ZXTN250 |
| серия | ZXTN250 |
| standard package name | SOT-23 |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-23 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| unit weight | 0.000282 oz |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 1.4 мм |
| width | 1.4 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26