ZXTN25020DFHTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:ZXTN25020DFHTA
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.008
Высота
1 mm
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
длина
3.05 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
300 at 10 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
4.5 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
20 V
партномер
8006398095
pd - рассеивание мощности
1810 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
215 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
ZXTN250
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка / блок
SOT-23-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
22:26:21
Ширина
1.4 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26