ZXTN25012EZTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN25012EZTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN25012EZTA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 12V HIGH GAIN
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина:4.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:1500 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):30 at 15 A, 2 V
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:6.5 A
минимальная рабочая температура:- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):7 V
напряжение коллектор-база (vcbo):20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:38 mV
непрерывный коллекторный ток:6.5 A
партномер8004613651
pd - рассеивание мощности:4460 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):260 MHz
производитель:Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки:1000
серия:ZXTN250
ширина:2.6 mm
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Diodes Incorporated
упаковка / блок:SOT-89-3
вид монтажа:SMD/SMT
Время загрузки0:00:17
высота:1.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль