ZXTN25012EZTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:ZXTN25012EZTA
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 12V HIGH GAIN
Дата загрузки
23.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.052
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
длина:
4.6 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:
1500 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):
30 at 15 A, 2 V
конфигурация:
Single
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:
6.5 A
минимальная рабочая температура:
- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo):
20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:
12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
38 mV
непрерывный коллекторный ток:
6.5 A
партномер
8004613651
pd - рассеивание мощности:
4460 mW
подкатегория:
Transistors
полярность транзистора:
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):
260 MHz
производитель:
Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки:
1000
серия:
ZXTN250
ширина:
2.6 mm
технология:
Si
тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:
Diodes Incorporated
упаковка / блок:
SOT-89-3
вид монтажа:
SMD/SMT
Время загрузки
0:00:17
высота:
1.6 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26