ZXTN2040FTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 40V 1A 3-PIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN2040FTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2040FTA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 40V 1A 3-PIN
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZXTN2040 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 500mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition150MHz
hts8541.29.00.95
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 1 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1@100mA@1A
maximum collector base voltage (v)40
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@100mA@1A|0.3@50mA@500mA|0.2@1mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V|35@2A@5V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package height0.98
package length02.09.2024
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8005061253
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности350 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max350mW
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTN2040
standard package nameSOT-23
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки22:26:27
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль