ZXTN2038FTA, 100nA 60V 350mW 100@500mA,5V 1A 150MHz 500mV@1A,100mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN2038FTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2038FTA, 100nA 60V 350mW 100@500mA,5V 1A ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 1A
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberZXTN2038 ->
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
frequency - transition150MHz
gain bandwidth product ft150 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency150 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation350 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8017623022
pd - power dissipation350 mW
pd - рассеивание мощности350 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max350mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesZXTN2038
серияZXTN2038
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки22:26:28
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль