ZXTN2020FTA, 100V 1.2W 4A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN2020FTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2020FTA, 100V 1.2W 4A NPN SOT-23 Bipolar ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo160 V
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:120 mV
collector- emitter voltage vceo max100 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configurationSingle
configuration:Single
emitter- base voltage vebo7 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity3000
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft130 MHz
gain bandwidth product ft:130 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerDiodes Incorporated
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current4 A
maximum dc collector current:4 A
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting style:SMD/SMT
package / caseSOT-23-3
package / case:SOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8017625858
pd - power dissipation1560 mW
pd - power dissipation:1.2 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
product type:BJTs-Bipolar Transistors
seriesZXTN202
series:ZXTN202
subcategoryTransistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
Время загрузки23:59:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль