Name: ZXTN2018FTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 60V Transistor
Brand: DIODES INC.
SKU: ZXTN2018FTA

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2018FTA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

Подробное описание

250 ₽

– +

Бонус: 5 !

Бонусная программа

Итого: 250 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	140 V
collector-emitter saturation voltage:	145 mV
collector- emitter voltage vceo max:	60 V
configuration:	Single
continuous collector current:	5 A
dc collector/base gain hfe min:	15
dc current gain hfe max:	300
emitter- base voltage vebo:	7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	130 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	5 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-23-3
партномер	8004842098
pd - power dissipation:	1.2 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	ZXTN2018
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	23:59:42

Отзывов нет

Кнопки

Теги: