ZXTN2011ZTA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 100V NPN Med Power
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| collector-emitter breakdown voltage | 100V |
| configuration | Single Dual Collector |
| длина | 4.6 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 1.6 мм |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Flat |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 4.5 A |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.1 500mA 5A |
| maximum collector base voltage (v) | 200 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 100 |
| maximum dc collector current | 4.5A |
| maximum dc collector current (a) | 4.5 |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2100 |
| maximum transition frequency (mhz) | 130(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 100 10mA 2V|100 2A 2V|30 5A 2V|10 10A 2V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 200 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| непрерывный коллекторный ток | 4.5 A |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 2.1W |
| pd - рассеивание мощности | 2100 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 130 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| серия | ZXTN2011 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-89 |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| вес, г | 0.052 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 2.6 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26