Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT 100V NPN Med Power
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.1
Высота
1.6 mm
Высота
1.6 мм
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
длина
4.6 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
4.5 A
maximum collector base voltage
200 V
maximum collector emitter voltage
100 V
maximum dc collector current
4.5 A
maximum emitter base voltage
7 V
maximum operating frequency
130 MHz
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
1.5 W
минимальная рабочая температура
55 C
minimum dc current gain
100
mounting type
Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
200 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
100 V
непрерывный коллекторный ток
4.5 A
number of elements per chip
1
package type
SOT-89
партномер
8002581137
pd - рассеивание мощности
2100 mW
pin count
3
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
130 MHz
размер фабричной упаковки
1000
серия
ZXTN2011
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
упаковка / блок
SOT-89-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
23:59:42
Ширина
2.6 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26