ZXTN2011GTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 100V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberZXTN2011 ->
configurationSingle Dual Collector
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 100V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberZXTN2011 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)6A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition130MHz
Высота 1.65 мм
hts8541.29.00.95
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.12@500mA@5A
maximum collector base voltage (v)200
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.22@500mA@5A|0.065@100mA@1A|0.125@100mA@2A|0.035@5mA@0.1A
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current (a)6
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)130(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@10mA@2V|100@2A@2V|30@5A@2V|10@10A@2V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)200 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
непрерывный коллекторный ток6 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height1.6
package length6.5
package width3.5
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности3 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max3W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTN201
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic220mV @ 500mA, 5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль