ZXTN2010ZTA, SOT89-3/60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN2010ZTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2010ZTA, SOT89-3/60V NPN LOW SATURATION ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор NPN 60В 5A SOT89
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:150 V
collector-emitter breakdown voltage60V
collector-emitter saturation voltage:230 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:5 A
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:130 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage150 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current5A
maximum dc collector current:5 A
maximum emitter base voltage7 V
maximum operating frequency130 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation2.1 W
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-89-3
package typeSOT-89
партномер8017537828
pd - power dissipation2.1W
pd - power dissipation:2.1 W
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTN2010
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки22:26:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль