ZXTN2010GTA, Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN2010GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2010GTA, Bipolar Transistors - BJT 60V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:150 V
collector-emitter saturation voltage:210 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:6 A
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:130 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage150 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current6 A
maximum dc collector current:6 A
maximum emitter base voltage7 V
maximum operating frequency130 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation3 W
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-223-4
package typeSOT-223
партномер8004842095
pd - power dissipation:3 W
pin count3+Tab
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTN2010
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки23:59:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль