Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 60V NPN Low Sat

Подробное описание

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	4.77 mm
eccn	EAR99
Высота	4.01 мм
htsus	8541.29.0075
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	4.5 A
минимальная рабочая температура	55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
непрерывный коллекторный ток	4.5 A
package	Cut Tape (CT)
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	130 MHz
размер фабричной упаковки	2000
reach status	REACH Affected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	*
серия	ZXTN201
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	E-Line-3
вид монтажа	Through Hole
Ширина	2.41 мм

Отзывов нет

Кнопки

ZXTN2010ASTZ