ZXTN2007GTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 30V NPN Low Sat
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 30V NPN Low Sat
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current7 A
длина6.7 mm (Max)
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft140 MHz
Высота 1.65 м
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора7 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current7 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
непрерывный коллекторный ток7 A
package / caseSOT-223-4
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation3 W
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки1000
seriesZXTN200
серияZXTN200
subcategoryTransistors
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityNPN
упаковка / блокSOT-223-4
вес, г0.11
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль