ZXTN2007GTA, Bipolar Transistors - BJT 30V NPN Low Sat

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN2007GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2007GTA, Bipolar Transistors - BJT 30V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 30V NPN Low Sat
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current7 A
длина6.7 mm (Max)
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo7 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft140 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора7 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)1.13@300mA@6.5A
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current7 A
maximum dc collector current (a)7
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)140(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V|100@10mA@1V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
непрерывный коллекторный ток7 A
number of elements per chip1
package / caseSOT-223-4
packagingCut Tape or Reel
партномер8004842093
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation3 W
pd - рассеивание мощности3 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки1000
seriesZXTN200
серияZXTN200
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:59:51
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль