ZXTN2007GTA, 50nA 30V 1.6W 30@20A,1V 7A 140MHz 185mV@6.5A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN2007GTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 30V NPN Low Sat
Дата загрузки | 23.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.22 |
Высота | 1.65 mm (Max) |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
automotive | No |
collector- base voltage vcbo | 80 V |
collector- emitter voltage vceo max | 30 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 7 A |
длина | 6.7 mm (Max) |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 7 V |
eu rohs | Compliant with Exemption |
factory pack quantity | 1000 |
gain bandwidth product ft | 140 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
конфигурация | Single |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
manufacturer | Diodes Incorporated |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.13@300mA@6.5A |
maximum collector base voltage (v) | 80 |
maximum collector-emitter voltage (v) | 30 |
maximum dc collector current | 7 A |
maximum dc collector current (a) | 7 |
maximum emitter base voltage (v) | 7 |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 3000 |
maximum transition frequency (mhz) | 140(Typ) |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V|100@10mA@1V |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
непрерывный коллекторный ток | 7 A |
number of elements per chip | 1 |
package / case | SOT-223-4 |
packaging | Cut Tape or Reel |
партномер | 8017625819 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation | 3 W |
pd - рассеивание мощности | 3 W |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
ppap | No |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 140 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
series | ZXTN200 |
серия | ZXTN200 |
standard package name | SOT |
subcategory | Transistors |
supplier package | SOT-223 |
supplier temperature grade | Automotive |
tab | Tab |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Diodes Incorporated |
transistor polarity | NPN |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-223-4 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 0:01:54 |
Ширина | 3.7 м |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26