Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 25V NPN Low Sat

Подробное описание

160 ₽

– +

Бонус: 3.2 !

Бонусная программа

Итого: 160 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	4.6 mm (Max)
Высота	1.6 м
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	5.5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
непрерывный коллекторный ток	5.5 A
pd - рассеивание мощности	2100 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	150 MHz
размер фабричной упаковки	1000
серия	ZXTN2005
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-89-3
вес, г	0.052
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	2.6 м

Отзывов нет

Кнопки

ZXTN2005ZTA