ZXTN19060CGTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 60V 7A
Вес и габариты
длина6.7 mm
Высота 1.65 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 60V 7A
Вес и габариты
длина6.7 mm
Высота 1.65 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.500 at 100 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 7 A, 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора7 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер50 mV
непрерывный коллекторный ток7 A
pd - рассеивание мощности5300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияZXTN19060
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-4
вес, г0.112
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль