Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 20V HIGH GAIN

Подробное описание

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	4.6 mm (Max)
Высота	1.6 м
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300 at 100 mA at 2 V, 260 at 2 A at 2 V, 150 at 7.
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	7.5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	70 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	20 V
pd - рассеивание мощности	4460 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	160 MHz
размер фабричной упаковки	1000
серия	ZXTN190
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-89-3
вес, г	0.052
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	2.6 м

Отзывов нет

Кнопки

ZXTN19020DZTA