ZXTD718MCTA, DFN-8-EP(3x2) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTD718MCTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTD718MCTA, DFN-8-EP(3x2) Bipolar ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:25 V
collector-emitter saturation voltage:225 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Dual
dc collector/base gain hfe min:300 at-10 mA, -2 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:180 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:3.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DFN3020B-8
партномер8017662821
pd - power dissipation:1.5 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTD718
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:06:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль