ZXTD619MCTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450 at 200 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 200 mA, 2 V
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450 at 200 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 200 mA, 2 V
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер270 mV
pd - рассеивание мощности2.45 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)165 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияZXTD619
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокDFN3020B-8
вес, г39
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль