Биполярные транзисторы - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
450 at 200 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
300 at 200 mA, 2 V
конфигурация
Dual
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
6 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
270 mV
партномер
8016438255
pd - рассеивание мощности
2.45 W
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
165 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
ZXTD619
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка / блок
DFN3020B-8
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
22:25:54
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26