ZXTD617MCTA, Bipolar Transistors - BJT Dual 15V NPN Low Sat 4.5A Ic 100mV 45mOhm

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTD617MCTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTD617MCTA, Bipolar Transistors - BJT Dual ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:240 mV
collector- emitter voltage vceo max:15 V
configuration:Dual
dc collector/base gain hfe min:200 at 10 mA, 2 V
dc current gain hfe max:415 at 10 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:120 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:4.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DFN3020B-8
партномер8004842082
pd - power dissipation:1.5 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTD617
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:06:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль