ZXTC6720MCTA, Bipolar Transistors - BJT Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOh

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTC6720MCTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTC6720MCTA, Bipolar Transistors - BJT Dual ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V, 70 V
collector-emitter saturation voltage:240 mV, 175 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V, 70 V
configuration:Dual
continuous collector current:-2.5 A, 3.5 A
dc collector/base gain hfe min:300 at 200 mA, 2 V
dc current gain hfe max:900 at 200 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:160 MHz, 180 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:3.5 A, 2.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DFN3020B-8
партномер8004842081
pd - power dissipation:1.5 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTC6720
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN, PNP
Время загрузки23:58:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль