ZXTC2063E6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTC2063E6
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTrans Gp Bjt Npn/pnp 40V 3.5A/3A 1700MW 6-PIN SOT-23 T/r / Trans Npn/pnp 40V 3.5A/3A SOT23
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo45 V, 150 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationDual
dc collector/base gain hfe min300 at 10 mA at 2 V at NPN, 280 at 1 A at 2 V at NPN, 40 at 3.5 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP, 20 at 3 A at 2 V at PNP
dc current gain hfe max300 at 10 mA at 2 V
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft190 MHz, 270 MHz
height1.3 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length3.1 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current3.5 A at NPN, 3 A at PNP
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-26-6
packagingReel
партномер8002007563
pd - power dissipation1700 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesZXTC2063
transistor polarityNPN, PNP
Время загрузки0:10:15
width1.8 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль