ZXTC2062E6TA, 20V 1.1W 15@10A,2V 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-26 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTC2062E6TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTC2062E6TA, 20V 1.1W 15@10A,2V ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V, 25 V
collector-emitter saturation voltage:140 mV, 190 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Dual
dc current gain hfe max:300 at 10 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:215 MHz, 290 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:4 A, 3.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-26-6
партномер8020509079
pd - power dissipation:1.7 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTC2062
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN, PNP
Время загрузки0:01:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль