ZXT951KTC, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXT951KTC
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXT951KTC, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2604
Высота2.39 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
420
+
Бонус: 8.4 !
Бонусная программа
Итого: 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 60V
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2604
Высота2.39 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZXT951 ->
частота перехода ft120МГц
collector emitter voltage max60В
configurationSingle
continuous collector current
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)6A
dc current gain hfe min50hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 1V
dc усиление тока hfe50hFE
длина6.73 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition120MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
квалификация-
lead shapeGull-wing
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
maximum base emitter saturation voltage (v)0.0012@600mA@6A
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current (a)6
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)4200
maximum transition frequency (mhz)120(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@10mA@1V|100@2A@1V|50@6A@1V|15@10A@1V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
непрерывный коллекторный ток6 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
packagingTape and Reel
партномер8004842074
part statusActive
pcb changed2
pd - рассеивание мощности4200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation4.2Вт
power - max4.2W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXT951
standard package nameTO-252
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
supplier device packageTO-252-3
supplier packageDPAK
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокDPAK-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 600mA, 6A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки0:05:45
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль