ZXT849KTC, Diodes Inc ZXT849KTC NPN Bipolar Transistor, 7 A, 80 V, 3-Pin DPAK
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXT849KTC
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
BJT & Bipolar TransistorsБиполярные транзисторы - BJT NPN 30V
| Вес и габариты | |
| automotive | Yes |
| configuration | Single |
| длина | 6.73 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 2.39 мм |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.00115@350mA@7A |
| maximum collector base voltage (v) | 80 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.04@20mA@0.5A|0.18@20mA@2A|0.08@20mA@1A|0.28@350mA@7A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 30 |
| maximum dc collector current (a) | 7 |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 4200 |
| maximum transition frequency (mhz) | 100(Typ) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 100@10mA@1V|100@1A@1V|40@20A@2V|100@7A@1V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 230 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 7 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package height | 2.39(Max) |
| package length | 6.73(Max) |
| package width | 6.22(Max) |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 4200 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| серия | ZXT849 |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| type | NPN |
| упаковка / блок | DPAK-3 |
| вес, г | 3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 6.22 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26