ZXT849KTC, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXT849KTC
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXT849KTC, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.35
Высота2.39 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 30V
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.35
Высота2.39 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveYes
частота перехода ft100МГц
collector emitter voltage max30В
configurationSingle
continuous collector current
dc current gain hfe min100hFE
dc усиление тока hfe100hFE
длина6.73 mm
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
квалификация-
lead shapeGull-wing
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора7 A
maximum base emitter saturation voltage (v)0.00115@350mA@7A
maximum collector base voltage80 V
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.04@20mA@0.5A|0.18@20mA@2A|0.08@20mA@1A|0.28@350mA@7A
maximum collector emitter voltage80 V
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current7 A
maximum dc collector current (a)7
maximum emitter base voltage7 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation4.2 W
maximum power dissipation (mw)4200
maximum transition frequency (mhz)100(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@10mA@1V|100@1A@1V|40@20A@2V|100@7A@1V
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер230 mV
непрерывный коллекторный ток7 A
number of elements per chip1
package height2.39(Max)
package length6.73(Max)
package typeDPAK(TO-252)
package width6.22(Max)
packagingTape and Reel
партномер8004842073
part statusActive
pcb changed2
pd - рассеивание мощности4200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation4.2Вт
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки2500
серияZXT849
standard package nameTO-252
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
supplier packageDPAK
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокDPAK-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:05:49
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль