ZXT13N50DE6TA, Diodes Inc ZXT13N50DE6TA NPN Transistor, 4 A, 50 V, 6-Pin SOT-23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXT13N50DE6TA
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Low Sat
Вес и габариты
base product numberZXT13N50D ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)4A
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Low Sat
Вес и габариты
base product numberZXT13N50D ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина3.1 mm
eccnEAR99
frequency - transition115MHz
Высота 1.3 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер145 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-23-6
pd - рассеивание мощности1.1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.1W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)115 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXT13N50
supplier device packageSOT-26
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-6
vce saturation (max) @ ib, ic180mV @ 400mA, 4A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Ширина1.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль