ZXT13N20DE6TA, Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXT13N20DE6TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXT13N20DE6TA, Bipolar Transistors - BJT 20V ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0065
Высота1.3 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 20V NPN SuperSOT4
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0065
Высота1.3 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина3.1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер170 mV
непрерывный коллекторный ток4.5 A
партномер8004674911
pd - рассеивание мощности1.1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)96 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияZXT13N
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:05:59
Ширина1.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль