Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 15V NPN SuperSOT4

Подробное описание

170 ₽

– +

Бонус: 3.4 !

Бонусная программа

Итого: 170 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	3.1 mm
Высота	1.3 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	900
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	15 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
непрерывный коллекторный ток	5 A
pd - рассеивание мощности	1.1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	72 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	ZXT13N15
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-23-6
вес, г	0.0065
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.8 мм

Отзывов нет

Кнопки

ZXT13N15DE6TA