ZXT12P40DXTA, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, 40 В, 2 А, 1.04 Вт, 150 hFE, MSOP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXT12P40DXTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJTTrans GP BJT PNP 40V 2A 1250mW 8-Pin MSOP T/R
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo: | 50 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 150 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 40 V |
| configuration | Dual Dual Collector |
| configuration: | Dual |
| continuous collector current: | -2.5 A |
| dc ток коллектора | 2А |
| dc усиление тока hfe | 150hFE |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 7.5 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| gain bandwidth product ft: | 130 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 8вывод(-ов) |
| квалификация | - |
| lead shape | Gull-wing |
| линейка продукции | SuperSOT4 Series |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| manufacturer: | Diodes Incorporated |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1@100mA@2A |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 40 |
| maximum dc collector current: | 2 A |
| maximum dc collector current (a) | 2 |
| maximum emitter base voltage (v) | 07.05.2024 |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 1250 |
| maximum transition frequency (mhz) | 130(Typ) |
| minimum dc current gain | 300@10mA@2V|300@1A@2V|150@2A@2V|10@5A@2V |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style: | SMD/SMT |
| напряжение коллектор-эмиттер | 40В |
| number of elements per chip | 2 |
| package/case: | MSOP-8 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8016498477 |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| pd - power dissipation: | 1.25 W |
| pin count | 8 |
| полярность транзистора | Двойной PNP |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| рассеиваемая мощность | 1.04Вт |
| series: | ZXT12P4 |
| standard package name | SOP |
| стандарты автомобильной промышленности | - |
| стиль корпуса транзистора | MSOP |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | MSOP |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | PNP |
| type | PNP |
| Время загрузки | 0:04:57 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
