ZXT12N50DXTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (двойной) 50 В, 3 А, 132 МГц, 1,04 Вт, поверхностный монтаж 8-MSOP
Вес и габариты
base product numberZXT12N50D ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)3A
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (двойной) 50 В, 3 А, 132 МГц, 1,04 Вт, поверхностный монтаж 8-MSOP
Вес и габариты
base product numberZXT12N50D ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина3.1 mm
eccnEAR99
frequency - transition132MHz
Высота 0.95 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер135 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118"", 3.00mm Width)
pd - рассеивание мощности870 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.04W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)132 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXT12
supplier device package8-MSOP
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor type2 NPN (Dual)
упаковка / блокMSOP-8
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 50mA, 3A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Ширина3.1 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль