ZXT11N20DFTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXT11N20DFTA
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:90 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Single
continuous collector current:2.5 A
emitter- base voltage vebo:7.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:160 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:2.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8007555048
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXT11N20
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:05:00
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль