ZXT11N20DFTA, 100nA 20V 625mW 100@5A,2V 2.5A 160MHz 90mV@2.5A,250mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXT11N20DFTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXT11N20DFTA, 100nA 20V 625mW 100@5A,2V 2.5A ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:90 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Single
continuous collector current:2.5 A
emitter- base voltage vebo:7.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:160 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:2.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8017629567
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXT11N20
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки22:25:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль