ZXT11N15DFTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 15V NPN SuperSOT4
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage15V
длина3.05 mm
Высота 1 мм
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 15V NPN SuperSOT4
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage15V
длина3.05 mm
Высота 1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 10 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA at 2 V, 300 at 200 mA at 2 V, 250 at
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
maximum dc collector current3A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.15 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер110 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
pd - power dissipation625mW
pd - рассеивание мощности625 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)145 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияZXT11N15
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль