ZXT10N15DE6TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 15V NPN SuperSOT4
Вес и габариты
длина3.1 mm
Высота 1.3 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 15V NPN SuperSOT4
Вес и габариты
длина3.1 mm
Высота 1.3 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 10 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA at 2 V, 300 at 200 mA at 2 V, 200 at
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)15 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.15 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер230 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
pd - рассеивание мощности1.1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияZXT10
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-6
вес, г0.0065
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль