ZXMC6A09DN8TA, Транзистор N/P-MOSFET 60В 5.1А/4.8А [SOIC-8]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXMC6A09DN8TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXMC6A09DN8TA, Транзистор N/P-MOSFET 60В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.23
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.23
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN|P
configurationDual Dual Drain
eccn (us)ear99
eu rohscompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
maximum continuous drain current (a)3.9@N Channel|3.7@P Channel
maximum drain source resistance (mohm)45@10V@N Channel|55@10V@P Channel
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source voltage (v)±20
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2100
minimum operating temperature (°c)-55
mountingsurface mount
number of elements per chip2
packagingTape and Reel
партномер9001196314
part statusactive
pcb changed8
pin count8
ppapNo
process technologyTMOS
product categoryPower MOSFET
standard package nameSO
supplier packageSO
typical fall time (ns)11@N Channel|23@P Channel
typical gate charge @ 10v (nc)24.2@N Channel|44@P Channel
typical gate charge @ vgs (nc)12.4@5V|24.2@10V@N Channel|23@5V|44@10V@P Channel
typical input capacitance @ vds (pf)1407@40V@N Channel|1580@30V@P Channel
typical rise time (ns)3.3@N Channel|5.8@P Channel
typical turn-off delay time (ns)28.5@N Channel|55@P Channel
typical turn-on delay time (ns)4.9@N Channel|4.6@P Channel
Время загрузки23:57:57
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль