Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 140V PNP Lw Saturatn Med power transistor
Вес и габариты
длина
4.6 mm
Высота
1.6 мм
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
300 at - 1 A, - 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
5 at - 10 A, - 5 V
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
3 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
140 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
37 mV
непрерывный коллекторный ток
3 A
pd - рассеивание мощности
2100 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
120 MHz
размер фабричной упаковки
1000
серия
ZX5T955
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка / блок
SOT-89-3
вес, г
0.1305
вид монтажа
SMD/SMT
Ширина
2.6 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26