ZX5T951GTA, Транзистор: PNP; биполярный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZX5T951GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZX5T951GTA, Транзистор: PNP; биполярный
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.17
Высота1.65 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.17
Высота1.65 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberZX5T951 ->
частота перехода ft120МГц
collector emitter voltage max60В
continuous collector current5.5А
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)5.5A
dc current gain hfe min10hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 1V
dc усиление тока hfe10hFE
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition120MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
квалификация-
линейка продукцииZX Series
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5.5 A
maximum collector base voltage-100 V
maximum collector emitter voltage-60 V
maximum dc collector current-5.5 A
maximum emitter base voltage-7 V
maximum operating frequency120 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation3 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
непрерывный коллекторный ток5.5 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
партномер8020655209
pd - рассеивание мощности3 W
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation3Вт
power - max3W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZX5T951
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 500mA, 5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки0:05:10
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль