ZX5T851GTA, Diodes Inc ZX5T851GTA NPN Transistor, 6 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZX5T851GTA
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V
Вес и габариты
base product numberZX5T851 ->
collector-emitter breakdown voltage60V
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
76
+
Бонус: 1.52 !
Бонусная программа
Итого: 76
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V
Вес и габариты
base product numberZX5T851 ->
collector-emitter breakdown voltage60V
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)6A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 1V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
frequency - transition130MHz
Высота 1.65 м
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
maximum dc collector current6A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
непрерывный коллекторный ток6 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
pd - power dissipation3W
pd - рассеивание мощности3000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max3W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZX5T851
supplier device packageSOT-223
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic260mV @ 300mA, 6A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль