ZVNL110GTA, MOSFET N-Chnl 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZVNL110GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZVNL110GTA, MOSFET N-Chnl 100V
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle Dual Drain
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
maximum continuous drain current (a)0.6
maximum drain source resistance (mohm)3000@10V
maximum drain source voltage (v)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
партномер8006313602
part statusActive
pcb changed3
pin count4
ppapNo
product categoryPower MOSFET
standard package nameSOT
supplier packageSOT-223
tabTab
typical fall time (ns)13(Max)
typical input capacitance @ vds (pf)75(Max)@25V
typical rise time (ns)12(Max)
typical turn-off delay time (ns)15(Max)
typical turn-on delay time (ns)7(Max)
Время загрузки0:01:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль