ZTX869

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX869
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота 4.01 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементDiodes Inc ZTX869 NPN Transistor, 5 A, 25 V, 3-Pin E-Line
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота 4.01 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage180 mV
collector- emitter voltage vceo max25 V
configurationSingle
continuous collector current5 A
dc collector/base gain hfe min300 at 10 mA at 1 V, 300 at 1 A at 1 V, 250 at 5 A at 1 V, 40 at 20 A at 1 V
dc current gain hfe max300 at 10 mA at 1 V
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity4000
gain bandwidth product ft100 MHz
height4.01 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length4.77 mm
manufacturerDIODES INCORPORATED
maximum dc collector current5 A
maximum operating temperature+200 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-92-3
packagingBulk
партномер8007155372
pd - power dissipation1.2 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesZTX869
transistor polarityNPN
Время загрузки0:10:18
width2.41 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль