Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High Gain
Дата загрузки
23.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.45
Высота
4.01 mm
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
длина
4.77 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
300 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
2.5 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
190 mV
непрерывный коллекторный ток
2.5 A
партномер
8004841865
pd - рассеивание мощности
1000 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
180 MHz
размер фабричной упаковки
4000
серия
ZTX718
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка
Bulk
упаковка / блок
TO-92-3
вид монтажа
Through Hole
Время загрузки
0:04:03
Ширина
2.41 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26