ZTX718, Bipolar Transistors - BJT PNP High Gain

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZTX718
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX718, Bipolar Transistors - BJT PNP High Gain
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Высота4.01 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High Gain
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Высота4.01 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина4.77 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер190 mV
непрерывный коллекторный ток2.5 A
партномер8004841865
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки4000
серияZTX718
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:04:03
Ширина2.41 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль