ZTX692BSTZ, Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZTX692BSTZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX692BSTZ, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:70 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:70 V
configuration:Single
continuous collector current:1 A
dc current gain hfe max:500 at 100 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
packaging:Ammo Pack
партномер8004841861
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZTX692
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:04:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль