ZTX657STZ, Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZTX657STZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX657STZ, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:300 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V
dc current gain hfe max:50 at 100 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:30 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
packaging:Ammo Pack
партномер8004841854
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZTX657
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:02:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль