ZTX618

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN High Gain
Вес и габариты
длина4.77 mm
Высота 4.01 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN High Gain
Вес и габариты
длина4.77 mm
Высота 4.01 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 170 at 3
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер210 mV
непрерывный коллекторный ток3.5 A
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки4000
серияZTX618
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
вес, г0.45
вид монтажаThrough Hole
Ширина2.41 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль