ZTX553STZ, Trans GP BJT PNP 100V 1A 1000mW 3-Pin E-Line Box
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:ZTX553STZ
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
длина:
4.77 mm
категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация:
Single
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:
1 A
минимальная рабочая температура:
- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):
- 5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):
- 120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:
- 100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
- 0.3 V
непрерывный коллекторный ток:
- 1 A
pd - рассеивание мощности:
1 W
подкатегория:
Transistors
полярность транзистора:
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):
150 MHz
производитель:
Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки:
2000
серия:
ZTX553
ширина:
2.41 mm
технология:
Si
тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:
Diodes Incorporated
упаковка:
Ammo Pack
упаковка / блок:
TO-92-3
вид монтажа:
Through Hole
высота:
4.01 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26