ZTX457, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZTX457
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX457, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4536
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4536
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:300 V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc current gain hfe max:50 at 10 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
gain bandwidth product ft:75 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage300 V
maximum collector emitter voltage300 V
maximum dc collector current500 mA
maximum dc collector current:500 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency20 MHz
maximum operating temperature+200 °C
maximum operating temperature:+200 C
maximum power dissipation1 W
minimum dc current gain50
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / case:TO-92-3
package typeTO-92
packaging:Bulk
партномер8004841831
pd - power dissipation:1 W
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZTX457
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:03:32
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль